半導體廠缺氧及局限空間作業風險
(一) 半導體廠缺氧及局限空間場所.半導體廠缺氧及局限空間場所主
要包括進入地下電纜管線或人孔之作業、地下涵洞作業、水井或水槽清洗作業、
廢液處理槽之清理作業、化學反應槽或儲存槽之相關作業、通風不良作業
等。其主要細分如下
1. 缺氧作業場所包含:Sump Pump & Pit、自來水池、冷卻水儲槽、回收水池、廢水系統處
理槽、放流水池、MMF 反洗水處理槽、電氣人孔、地下管溝、AC tank、廢硫酸儲存槽、中
和槽、ACF 活性碳過濾塔、SAC 離子交換樹脂塔、廢水用氫氧化鈉儲槽、Movex tank、MGR
tank、氫氟酸廢水收集槽、晶背研磨廢水收集槽、離子交換塔、再生廢水收集槽、鹽酸儲槽、
氯化鈣儲槽、硫酸儲槽、純水用氫氧化鈉儲槽、氫氟酸廢水反應儲、VOC 燃燒爐、11.4KV 管
道間、鍋爐、地下油槽、使用 N2 之爐管機台內部及其他具有缺氧疑慮之場所。舉 ACF活性
碳過濾塔缺氧作業場所為例
2. 局限空間場所包含: Central Scrubber 清洗作業、Cooling tower sump、新增桶槽作業。
舉 Central Scrubber (洗滌塔)清洗作業為例
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